10f2cbe3fSJames Yang /* 20f2cbe3fSJames Yang * Copyright 2008 Freescale Semiconductor, Inc. 30f2cbe3fSJames Yang * 40f2cbe3fSJames Yang * This program is free software; you can redistribute it and/or 50f2cbe3fSJames Yang * modify it under the terms of the GNU General Public License 60f2cbe3fSJames Yang * Version 2 as published by the Free Software Foundation. 70f2cbe3fSJames Yang */ 80f2cbe3fSJames Yang 90f2cbe3fSJames Yang #ifndef _DDR_SPD_H_ 100f2cbe3fSJames Yang #define _DDR_SPD_H_ 110f2cbe3fSJames Yang 120f2cbe3fSJames Yang /* 130f2cbe3fSJames Yang * Format from "JEDEC Standard No. 21-C, 140f2cbe3fSJames Yang * Appendix D: Rev 1.0: SPD's for DDR SDRAM 150f2cbe3fSJames Yang */ 160f2cbe3fSJames Yang typedef struct ddr1_spd_eeprom_s { 170f2cbe3fSJames Yang unsigned char info_size; /* 0 # bytes written into serial memory */ 180f2cbe3fSJames Yang unsigned char chip_size; /* 1 Total # bytes of SPD memory device */ 190f2cbe3fSJames Yang unsigned char mem_type; /* 2 Fundamental memory type */ 200f2cbe3fSJames Yang unsigned char nrow_addr; /* 3 # of Row Addresses on this assembly */ 210f2cbe3fSJames Yang unsigned char ncol_addr; /* 4 # of Column Addrs on this assembly */ 220f2cbe3fSJames Yang unsigned char nrows; /* 5 Number of DIMM Banks */ 230f2cbe3fSJames Yang unsigned char dataw_lsb; /* 6 Data Width of this assembly */ 240f2cbe3fSJames Yang unsigned char dataw_msb; /* 7 ... Data Width continuation */ 250f2cbe3fSJames Yang unsigned char voltage; /* 8 Voltage intf std of this assembly */ 260f2cbe3fSJames Yang unsigned char clk_cycle; /* 9 SDRAM Cycle time @ CL=X */ 270f2cbe3fSJames Yang unsigned char clk_access; /* 10 SDRAM Access from Clk @ CL=X (tAC) */ 280f2cbe3fSJames Yang unsigned char config; /* 11 DIMM Configuration type */ 290f2cbe3fSJames Yang unsigned char refresh; /* 12 Refresh Rate/Type */ 300f2cbe3fSJames Yang unsigned char primw; /* 13 Primary SDRAM Width */ 310f2cbe3fSJames Yang unsigned char ecw; /* 14 Error Checking SDRAM width */ 320f2cbe3fSJames Yang unsigned char min_delay; /* 15 for Back to Back Random Address */ 330f2cbe3fSJames Yang unsigned char burstl; /* 16 Burst Lengths Supported */ 340f2cbe3fSJames Yang unsigned char nbanks; /* 17 # of Banks on SDRAM Device */ 350f2cbe3fSJames Yang unsigned char cas_lat; /* 18 CAS# Latencies Supported */ 360f2cbe3fSJames Yang unsigned char cs_lat; /* 19 CS# Latency */ 370f2cbe3fSJames Yang unsigned char write_lat; /* 20 Write Latency (aka Write Recovery) */ 380f2cbe3fSJames Yang unsigned char mod_attr; /* 21 SDRAM Module Attributes */ 390f2cbe3fSJames Yang unsigned char dev_attr; /* 22 SDRAM Device Attributes */ 400f2cbe3fSJames Yang unsigned char clk_cycle2; /* 23 Min SDRAM Cycle time @ CL=X-0.5 */ 410f2cbe3fSJames Yang unsigned char clk_access2; /* 24 SDRAM Access from 420f2cbe3fSJames Yang Clk @ CL=X-0.5 (tAC) */ 430f2cbe3fSJames Yang unsigned char clk_cycle3; /* 25 Min SDRAM Cycle time @ CL=X-1 */ 440f2cbe3fSJames Yang unsigned char clk_access3; /* 26 Max Access from Clk @ CL=X-1 (tAC) */ 450f2cbe3fSJames Yang unsigned char trp; /* 27 Min Row Precharge Time (tRP)*/ 460f2cbe3fSJames Yang unsigned char trrd; /* 28 Min Row Active to Row Active (tRRD) */ 470f2cbe3fSJames Yang unsigned char trcd; /* 29 Min RAS to CAS Delay (tRCD) */ 480f2cbe3fSJames Yang unsigned char tras; /* 30 Minimum RAS Pulse Width (tRAS) */ 490f2cbe3fSJames Yang unsigned char bank_dens; /* 31 Density of each bank on module */ 500f2cbe3fSJames Yang unsigned char ca_setup; /* 32 Addr + Cmd Setup Time Before Clk */ 510f2cbe3fSJames Yang unsigned char ca_hold; /* 33 Addr + Cmd Hold Time After Clk */ 520f2cbe3fSJames Yang unsigned char data_setup; /* 34 Data Input Setup Time Before Strobe */ 530f2cbe3fSJames Yang unsigned char data_hold; /* 35 Data Input Hold Time After Strobe */ 540f2cbe3fSJames Yang unsigned char res_36_40[5];/* 36-40 reserved for VCSDRAM */ 550f2cbe3fSJames Yang unsigned char trc; /* 41 Min Active to Auto refresh time tRC */ 560f2cbe3fSJames Yang unsigned char trfc; /* 42 Min Auto to Active period tRFC */ 570f2cbe3fSJames Yang unsigned char tckmax; /* 43 Max device cycle time tCKmax */ 580f2cbe3fSJames Yang unsigned char tdqsq; /* 44 Max DQS to DQ skew (tDQSQ max) */ 590f2cbe3fSJames Yang unsigned char tqhs; /* 45 Max Read DataHold skew (tQHS) */ 600f2cbe3fSJames Yang unsigned char res_46; /* 46 Reserved */ 610f2cbe3fSJames Yang unsigned char dimm_height; /* 47 DDR SDRAM DIMM Height */ 620f2cbe3fSJames Yang unsigned char res_48_61[14]; /* 48-61 Reserved */ 630f2cbe3fSJames Yang unsigned char spd_rev; /* 62 SPD Data Revision Code */ 640f2cbe3fSJames Yang unsigned char cksum; /* 63 Checksum for bytes 0-62 */ 650f2cbe3fSJames Yang unsigned char mid[8]; /* 64-71 Mfr's JEDEC ID code per JEP-106 */ 660f2cbe3fSJames Yang unsigned char mloc; /* 72 Manufacturing Location */ 670f2cbe3fSJames Yang unsigned char mpart[18]; /* 73 Manufacturer's Part Number */ 680f2cbe3fSJames Yang unsigned char rev[2]; /* 91 Revision Code */ 690f2cbe3fSJames Yang unsigned char mdate[2]; /* 93 Manufacturing Date */ 700f2cbe3fSJames Yang unsigned char sernum[4]; /* 95 Assembly Serial Number */ 710f2cbe3fSJames Yang unsigned char mspec[27]; /* 99-127 Manufacturer Specific Data */ 720f2cbe3fSJames Yang 730f2cbe3fSJames Yang } ddr1_spd_eeprom_t; 740f2cbe3fSJames Yang 750f2cbe3fSJames Yang /* 760f2cbe3fSJames Yang * Format from "JEDEC Appendix X: Serial Presence Detects for DDR2 SDRAM", 770f2cbe3fSJames Yang * SPD Revision 1.2 780f2cbe3fSJames Yang */ 790f2cbe3fSJames Yang typedef struct ddr2_spd_eeprom_s { 800f2cbe3fSJames Yang unsigned char info_size; /* 0 # bytes written into serial memory */ 810f2cbe3fSJames Yang unsigned char chip_size; /* 1 Total # bytes of SPD memory device */ 820f2cbe3fSJames Yang unsigned char mem_type; /* 2 Fundamental memory type */ 830f2cbe3fSJames Yang unsigned char nrow_addr; /* 3 # of Row Addresses on this assembly */ 840f2cbe3fSJames Yang unsigned char ncol_addr; /* 4 # of Column Addrs on this assembly */ 850f2cbe3fSJames Yang unsigned char mod_ranks; /* 5 Number of DIMM Ranks */ 860f2cbe3fSJames Yang unsigned char dataw; /* 6 Module Data Width */ 870f2cbe3fSJames Yang unsigned char res_7; /* 7 Reserved */ 880f2cbe3fSJames Yang unsigned char voltage; /* 8 Voltage intf std of this assembly */ 890f2cbe3fSJames Yang unsigned char clk_cycle; /* 9 SDRAM Cycle time @ CL=X */ 900f2cbe3fSJames Yang unsigned char clk_access; /* 10 SDRAM Access from Clk @ CL=X (tAC) */ 910f2cbe3fSJames Yang unsigned char config; /* 11 DIMM Configuration type */ 920f2cbe3fSJames Yang unsigned char refresh; /* 12 Refresh Rate/Type */ 930f2cbe3fSJames Yang unsigned char primw; /* 13 Primary SDRAM Width */ 940f2cbe3fSJames Yang unsigned char ecw; /* 14 Error Checking SDRAM width */ 950f2cbe3fSJames Yang unsigned char res_15; /* 15 Reserved */ 960f2cbe3fSJames Yang unsigned char burstl; /* 16 Burst Lengths Supported */ 970f2cbe3fSJames Yang unsigned char nbanks; /* 17 # of Banks on Each SDRAM Device */ 980f2cbe3fSJames Yang unsigned char cas_lat; /* 18 CAS# Latencies Supported */ 990f2cbe3fSJames Yang unsigned char mech_char; /* 19 DIMM Mechanical Characteristics */ 1000f2cbe3fSJames Yang unsigned char dimm_type; /* 20 DIMM type information */ 1010f2cbe3fSJames Yang unsigned char mod_attr; /* 21 SDRAM Module Attributes */ 1020f2cbe3fSJames Yang unsigned char dev_attr; /* 22 SDRAM Device Attributes */ 1030f2cbe3fSJames Yang unsigned char clk_cycle2; /* 23 Min SDRAM Cycle time @ CL=X-1 */ 1040f2cbe3fSJames Yang unsigned char clk_access2; /* 24 SDRAM Access from Clk @ CL=X-1 (tAC) */ 1050f2cbe3fSJames Yang unsigned char clk_cycle3; /* 25 Min SDRAM Cycle time @ CL=X-2 */ 1060f2cbe3fSJames Yang unsigned char clk_access3; /* 26 Max Access from Clk @ CL=X-2 (tAC) */ 1070f2cbe3fSJames Yang unsigned char trp; /* 27 Min Row Precharge Time (tRP)*/ 1080f2cbe3fSJames Yang unsigned char trrd; /* 28 Min Row Active to Row Active (tRRD) */ 1090f2cbe3fSJames Yang unsigned char trcd; /* 29 Min RAS to CAS Delay (tRCD) */ 1100f2cbe3fSJames Yang unsigned char tras; /* 30 Minimum RAS Pulse Width (tRAS) */ 1110f2cbe3fSJames Yang unsigned char rank_dens; /* 31 Density of each rank on module */ 1120f2cbe3fSJames Yang unsigned char ca_setup; /* 32 Addr+Cmd Setup Time Before Clk (tIS) */ 1130f2cbe3fSJames Yang unsigned char ca_hold; /* 33 Addr+Cmd Hold Time After Clk (tIH) */ 1140f2cbe3fSJames Yang unsigned char data_setup; /* 34 Data Input Setup Time 1150f2cbe3fSJames Yang Before Strobe (tDS) */ 1160f2cbe3fSJames Yang unsigned char data_hold; /* 35 Data Input Hold Time 1170f2cbe3fSJames Yang After Strobe (tDH) */ 1180f2cbe3fSJames Yang unsigned char twr; /* 36 Write Recovery time tWR */ 1190f2cbe3fSJames Yang unsigned char twtr; /* 37 Int write to read delay tWTR */ 1200f2cbe3fSJames Yang unsigned char trtp; /* 38 Int read to precharge delay tRTP */ 1210f2cbe3fSJames Yang unsigned char mem_probe; /* 39 Mem analysis probe characteristics */ 1220f2cbe3fSJames Yang unsigned char trctrfc_ext; /* 40 Extensions to trc and trfc */ 1230f2cbe3fSJames Yang unsigned char trc; /* 41 Min Active to Auto refresh time tRC */ 1240f2cbe3fSJames Yang unsigned char trfc; /* 42 Min Auto to Active period tRFC */ 1250f2cbe3fSJames Yang unsigned char tckmax; /* 43 Max device cycle time tCKmax */ 1260f2cbe3fSJames Yang unsigned char tdqsq; /* 44 Max DQS to DQ skew (tDQSQ max) */ 1270f2cbe3fSJames Yang unsigned char tqhs; /* 45 Max Read DataHold skew (tQHS) */ 1280f2cbe3fSJames Yang unsigned char pll_relock; /* 46 PLL Relock time */ 1290f2cbe3fSJames Yang unsigned char Tcasemax; /* 47 Tcasemax */ 1300f2cbe3fSJames Yang unsigned char psiTAdram; /* 48 Thermal Resistance of DRAM Package from 1310f2cbe3fSJames Yang Top (Case) to Ambient (Psi T-A DRAM) */ 1320f2cbe3fSJames Yang unsigned char dt0_mode; /* 49 DRAM Case Temperature Rise from Ambient 1330f2cbe3fSJames Yang due to Activate-Precharge/Mode Bits 1340f2cbe3fSJames Yang (DT0/Mode Bits) */ 1350f2cbe3fSJames Yang unsigned char dt2n_dt2q; /* 50 DRAM Case Temperature Rise from Ambient 1360f2cbe3fSJames Yang due to Precharge/Quiet Standby 1370f2cbe3fSJames Yang (DT2N/DT2Q) */ 1380f2cbe3fSJames Yang unsigned char dt2p; /* 51 DRAM Case Temperature Rise from Ambient 1390f2cbe3fSJames Yang due to Precharge Power-Down (DT2P) */ 1400f2cbe3fSJames Yang unsigned char dt3n; /* 52 DRAM Case Temperature Rise from Ambient 1410f2cbe3fSJames Yang due to Active Standby (DT3N) */ 1420f2cbe3fSJames Yang unsigned char dt3pfast; /* 53 DRAM Case Temperature Rise from Ambient 1430f2cbe3fSJames Yang due to Active Power-Down with 1440f2cbe3fSJames Yang Fast PDN Exit (DT3Pfast) */ 1450f2cbe3fSJames Yang unsigned char dt3pslow; /* 54 DRAM Case Temperature Rise from Ambient 1460f2cbe3fSJames Yang due to Active Power-Down with Slow 1470f2cbe3fSJames Yang PDN Exit (DT3Pslow) */ 1480f2cbe3fSJames Yang unsigned char dt4r_dt4r4w; /* 55 DRAM Case Temperature Rise from Ambient 1490f2cbe3fSJames Yang due to Page Open Burst Read/DT4R4W 1500f2cbe3fSJames Yang Mode Bit (DT4R/DT4R4W Mode Bit) */ 1510f2cbe3fSJames Yang unsigned char dt5b; /* 56 DRAM Case Temperature Rise from Ambient 1520f2cbe3fSJames Yang due to Burst Refresh (DT5B) */ 1530f2cbe3fSJames Yang unsigned char dt7; /* 57 DRAM Case Temperature Rise from Ambient 1540f2cbe3fSJames Yang due to Bank Interleave Reads with 1550f2cbe3fSJames Yang Auto-Precharge (DT7) */ 1560f2cbe3fSJames Yang unsigned char psiTApll; /* 58 Thermal Resistance of PLL Package form 1570f2cbe3fSJames Yang Top (Case) to Ambient (Psi T-A PLL) */ 1580f2cbe3fSJames Yang unsigned char psiTAreg; /* 59 Thermal Reisitance of Register Package 1590f2cbe3fSJames Yang from Top (Case) to Ambient 1600f2cbe3fSJames Yang (Psi T-A Register) */ 1610f2cbe3fSJames Yang unsigned char dtpllactive; /* 60 PLL Case Temperature Rise from Ambient 1620f2cbe3fSJames Yang due to PLL Active (DT PLL Active) */ 1630f2cbe3fSJames Yang unsigned char dtregact; /* 61 Register Case Temperature Rise from 1640f2cbe3fSJames Yang Ambient due to Register Active/Mode Bit 1650f2cbe3fSJames Yang (DT Register Active/Mode Bit) */ 1660f2cbe3fSJames Yang unsigned char spd_rev; /* 62 SPD Data Revision Code */ 1670f2cbe3fSJames Yang unsigned char cksum; /* 63 Checksum for bytes 0-62 */ 1680f2cbe3fSJames Yang unsigned char mid[8]; /* 64 Mfr's JEDEC ID code per JEP-106 */ 1690f2cbe3fSJames Yang unsigned char mloc; /* 72 Manufacturing Location */ 1700f2cbe3fSJames Yang unsigned char mpart[18]; /* 73 Manufacturer's Part Number */ 1710f2cbe3fSJames Yang unsigned char rev[2]; /* 91 Revision Code */ 1720f2cbe3fSJames Yang unsigned char mdate[2]; /* 93 Manufacturing Date */ 1730f2cbe3fSJames Yang unsigned char sernum[4]; /* 95 Assembly Serial Number */ 1740f2cbe3fSJames Yang unsigned char mspec[27]; /* 99-127 Manufacturer Specific Data */ 1750f2cbe3fSJames Yang 1760f2cbe3fSJames Yang } ddr2_spd_eeprom_t; 1770f2cbe3fSJames Yang 1780f2cbe3fSJames Yang typedef struct ddr3_spd_eeprom_s { 1790f2cbe3fSJames Yang /* General Section: Bytes 0-59 */ 1800f2cbe3fSJames Yang unsigned char info_size_crc; /* 0 # bytes written into serial memory, 1810f2cbe3fSJames Yang CRC coverage */ 1820f2cbe3fSJames Yang unsigned char spd_rev; /* 1 Total # bytes of SPD mem device */ 1830f2cbe3fSJames Yang unsigned char mem_type; /* 2 Key Byte / Fundamental mem type */ 1840f2cbe3fSJames Yang unsigned char module_type; /* 3 Key Byte / Module Type */ 1850f2cbe3fSJames Yang unsigned char density_banks; /* 4 SDRAM Density and Banks */ 1860f2cbe3fSJames Yang unsigned char addressing; /* 5 SDRAM Addressing */ 187c360ceacSDave Liu unsigned char module_vdd; /* 6 Module nominal voltage, VDD */ 1880f2cbe3fSJames Yang unsigned char organization; /* 7 Module Organization */ 1890f2cbe3fSJames Yang unsigned char bus_width; /* 8 Module Memory Bus Width */ 1900f2cbe3fSJames Yang unsigned char ftb_div; /* 9 Fine Timebase (FTB) 1910f2cbe3fSJames Yang Dividend / Divisor */ 1920f2cbe3fSJames Yang unsigned char mtb_dividend; /* 10 Medium Timebase (MTB) Dividend */ 1930f2cbe3fSJames Yang unsigned char mtb_divisor; /* 11 Medium Timebase (MTB) Divisor */ 1940f2cbe3fSJames Yang unsigned char tCK_min; /* 12 SDRAM Minimum Cycle Time */ 1950f2cbe3fSJames Yang unsigned char res_13; /* 13 Reserved */ 1960f2cbe3fSJames Yang unsigned char caslat_lsb; /* 14 CAS Latencies Supported, 1970f2cbe3fSJames Yang Least Significant Byte */ 1980f2cbe3fSJames Yang unsigned char caslat_msb; /* 15 CAS Latencies Supported, 1990f2cbe3fSJames Yang Most Significant Byte */ 2000f2cbe3fSJames Yang unsigned char tAA_min; /* 16 Min CAS Latency Time */ 2010f2cbe3fSJames Yang unsigned char tWR_min; /* 17 Min Write REcovery Time */ 2020f2cbe3fSJames Yang unsigned char tRCD_min; /* 18 Min RAS# to CAS# Delay Time */ 2030f2cbe3fSJames Yang unsigned char tRRD_min; /* 19 Min Row Active to 2040f2cbe3fSJames Yang Row Active Delay Time */ 2050f2cbe3fSJames Yang unsigned char tRP_min; /* 20 Min Row Precharge Delay Time */ 2060f2cbe3fSJames Yang unsigned char tRAS_tRC_ext; /* 21 Upper Nibbles for tRAS and tRC */ 2070f2cbe3fSJames Yang unsigned char tRAS_min_lsb; /* 22 Min Active to Precharge 2080f2cbe3fSJames Yang Delay Time */ 2090f2cbe3fSJames Yang unsigned char tRC_min_lsb; /* 23 Min Active to Active/Refresh 2100f2cbe3fSJames Yang Delay Time, LSB */ 2110f2cbe3fSJames Yang unsigned char tRFC_min_lsb; /* 24 Min Refresh Recovery Delay Time */ 2120f2cbe3fSJames Yang unsigned char tRFC_min_msb; /* 25 Min Refresh Recovery Delay Time */ 2130f2cbe3fSJames Yang unsigned char tWTR_min; /* 26 Min Internal Write to 2140f2cbe3fSJames Yang Read Command Delay Time */ 2150f2cbe3fSJames Yang unsigned char tRTP_min; /* 27 Min Internal Read to Precharge 2160f2cbe3fSJames Yang Command Delay Time */ 2170f2cbe3fSJames Yang unsigned char tFAW_msb; /* 28 Upper Nibble for tFAW */ 2180f2cbe3fSJames Yang unsigned char tFAW_min; /* 29 Min Four Activate Window 2190f2cbe3fSJames Yang Delay Time*/ 2200f2cbe3fSJames Yang unsigned char opt_features; /* 30 SDRAM Optional Features */ 2210f2cbe3fSJames Yang unsigned char therm_ref_opt; /* 31 SDRAM Thermal and Refresh Opts */ 2220f2cbe3fSJames Yang unsigned char res_32_59[28]; /* 32-59 Reserved, General Section */ 2230f2cbe3fSJames Yang 2240f2cbe3fSJames Yang /* Module-Specific Section: Bytes 60-116 */ 2250f2cbe3fSJames Yang union { 2260f2cbe3fSJames Yang struct { 2270f2cbe3fSJames Yang /* 60 (Unbuffered) Module Nominal Height */ 2280f2cbe3fSJames Yang unsigned char mod_height; 2290f2cbe3fSJames Yang /* 61 (Unbuffered) Module Maximum Thickness */ 2300f2cbe3fSJames Yang unsigned char mod_thickness; 2310f2cbe3fSJames Yang /* 62 (Unbuffered) Reference Raw Card Used */ 2320f2cbe3fSJames Yang unsigned char ref_raw_card; 2330f2cbe3fSJames Yang /* 63 (Unbuffered) Address Mapping from 2340f2cbe3fSJames Yang Edge Connector to DRAM */ 2350f2cbe3fSJames Yang unsigned char addr_mapping; 2360f2cbe3fSJames Yang /* 64-116 (Unbuffered) Reserved */ 2370f2cbe3fSJames Yang unsigned char res_64_116[53]; 2380f2cbe3fSJames Yang } unbuffered; 2390f2cbe3fSJames Yang struct { 2400f2cbe3fSJames Yang /* 60 (Registered) Module Nominal Height */ 2410f2cbe3fSJames Yang unsigned char mod_height; 2420f2cbe3fSJames Yang /* 61 (Registered) Module Maximum Thickness */ 2430f2cbe3fSJames Yang unsigned char mod_thickness; 2440f2cbe3fSJames Yang /* 62 (Registered) Reference Raw Card Used */ 2450f2cbe3fSJames Yang unsigned char ref_raw_card; 2469490ff48Syork /* 63 DIMM Module Attributes */ 2479490ff48Syork unsigned char modu_attr; 2489490ff48Syork /* 64 RDIMM Thermal Heat Spreader Solution */ 2499490ff48Syork unsigned char thermal; 2509490ff48Syork /* 65 Register Manufacturer ID Code, Least Significant Byte */ 2519490ff48Syork unsigned char reg_id_lo; 2529490ff48Syork /* 66 Register Manufacturer ID Code, Most Significant Byte */ 2539490ff48Syork unsigned char reg_id_hi; 2549490ff48Syork /* 67 Register Revision Number */ 2559490ff48Syork unsigned char reg_rev; 2569490ff48Syork /* 68 Register Type */ 2579490ff48Syork unsigned char reg_type; 2589490ff48Syork /* 69-76 RC1,3,5...15 (MS Nibble) / RC0,2,4...14 (LS Nibble) */ 2599490ff48Syork unsigned char rcw[8]; 2600f2cbe3fSJames Yang } registered; 2610f2cbe3fSJames Yang unsigned char uc[57]; /* 60-116 Module-Specific Section */ 2620f2cbe3fSJames Yang } mod_section; 2630f2cbe3fSJames Yang 2640f2cbe3fSJames Yang /* Unique Module ID: Bytes 117-125 */ 2650f2cbe3fSJames Yang unsigned char mmid_lsb; /* 117 Module MfgID Code LSB - JEP-106 */ 2660f2cbe3fSJames Yang unsigned char mmid_msb; /* 118 Module MfgID Code MSB - JEP-106 */ 2670f2cbe3fSJames Yang unsigned char mloc; /* 119 Mfg Location */ 2680f2cbe3fSJames Yang unsigned char mdate[2]; /* 120-121 Mfg Date */ 2690f2cbe3fSJames Yang unsigned char sernum[4]; /* 122-125 Module Serial Number */ 2700f2cbe3fSJames Yang 2710f2cbe3fSJames Yang /* CRC: Bytes 126-127 */ 2720f2cbe3fSJames Yang unsigned char crc[2]; /* 126-127 SPD CRC */ 2730f2cbe3fSJames Yang 2740f2cbe3fSJames Yang /* Other Manufacturer Fields and User Space: Bytes 128-255 */ 2750f2cbe3fSJames Yang unsigned char mpart[18]; /* 128-145 Mfg's Module Part Number */ 2760f2cbe3fSJames Yang unsigned char mrev[2]; /* 146-147 Module Revision Code */ 2770f2cbe3fSJames Yang 2780f2cbe3fSJames Yang unsigned char dmid_lsb; /* 148 DRAM MfgID Code LSB - JEP-106 */ 2790f2cbe3fSJames Yang unsigned char dmid_msb; /* 149 DRAM MfgID Code MSB - JEP-106 */ 2800f2cbe3fSJames Yang 2810f2cbe3fSJames Yang unsigned char msd[26]; /* 150-175 Mfg's Specific Data */ 2820f2cbe3fSJames Yang unsigned char cust[80]; /* 176-255 Open for Customer Use */ 2830f2cbe3fSJames Yang 2840f2cbe3fSJames Yang } ddr3_spd_eeprom_t; 2850f2cbe3fSJames Yang 2860f2cbe3fSJames Yang extern unsigned int ddr1_spd_check(const ddr1_spd_eeprom_t *spd); 2870f2cbe3fSJames Yang extern void ddr1_spd_dump(const ddr1_spd_eeprom_t *spd); 2880f2cbe3fSJames Yang extern unsigned int ddr2_spd_check(const ddr2_spd_eeprom_t *spd); 2890f2cbe3fSJames Yang extern void ddr2_spd_dump(const ddr2_spd_eeprom_t *spd); 290c360ceacSDave Liu extern unsigned int ddr3_spd_check(const ddr3_spd_eeprom_t *spd); 2910f2cbe3fSJames Yang 2920f2cbe3fSJames Yang /* 2930f2cbe3fSJames Yang * Byte 2 Fundamental Memory Types. 2940f2cbe3fSJames Yang */ 2950f2cbe3fSJames Yang #define SPD_MEMTYPE_FPM (0x01) 2960f2cbe3fSJames Yang #define SPD_MEMTYPE_EDO (0x02) 2970f2cbe3fSJames Yang #define SPD_MEMTYPE_PIPE_NIBBLE (0x03) 2980f2cbe3fSJames Yang #define SPD_MEMTYPE_SDRAM (0x04) 2990f2cbe3fSJames Yang #define SPD_MEMTYPE_ROM (0x05) 3000f2cbe3fSJames Yang #define SPD_MEMTYPE_SGRAM (0x06) 3010f2cbe3fSJames Yang #define SPD_MEMTYPE_DDR (0x07) 3020f2cbe3fSJames Yang #define SPD_MEMTYPE_DDR2 (0x08) 3030f2cbe3fSJames Yang #define SPD_MEMTYPE_DDR2_FBDIMM (0x09) 3040f2cbe3fSJames Yang #define SPD_MEMTYPE_DDR2_FBDIMM_PROBE (0x0A) 3050f2cbe3fSJames Yang #define SPD_MEMTYPE_DDR3 (0x0B) 3060f2cbe3fSJames Yang 307*c7fd27ccSKyle Moffett /* DIMM Type for DDR2 SPD (according to v1.3) */ 308*c7fd27ccSKyle Moffett #define DDR2_SPD_DIMMTYPE_UNDEFINED (0x00) 309*c7fd27ccSKyle Moffett #define DDR2_SPD_DIMMTYPE_RDIMM (0x01) 310*c7fd27ccSKyle Moffett #define DDR2_SPD_DIMMTYPE_UDIMM (0x02) 311*c7fd27ccSKyle Moffett #define DDR2_SPD_DIMMTYPE_SO_DIMM (0x04) 312*c7fd27ccSKyle Moffett #define DDR2_SPD_DIMMTYPE_72B_SO_CDIMM (0x06) 313*c7fd27ccSKyle Moffett #define DDR2_SPD_DIMMTYPE_72B_SO_RDIMM (0x07) 314*c7fd27ccSKyle Moffett #define DDR2_SPD_DIMMTYPE_MICRO_DIMM (0x08) 315*c7fd27ccSKyle Moffett #define DDR2_SPD_DIMMTYPE_MINI_RDIMM (0x10) 316*c7fd27ccSKyle Moffett #define DDR2_SPD_DIMMTYPE_MINI_UDIMM (0x20) 317*c7fd27ccSKyle Moffett 318*c7fd27ccSKyle Moffett /* Byte 3 Key Byte / Module Type for DDR3 SPD */ 319*c7fd27ccSKyle Moffett #define DDR3_SPD_MODULETYPE_MASK (0x0f) 320*c7fd27ccSKyle Moffett #define DDR3_SPD_MODULETYPE_RDIMM (0x01) 321*c7fd27ccSKyle Moffett #define DDR3_SPD_MODULETYPE_UDIMM (0x02) 322*c7fd27ccSKyle Moffett #define DDR3_SPD_MODULETYPE_SO_DIMM (0x03) 323*c7fd27ccSKyle Moffett #define DDR3_SPD_MODULETYPE_MICRO_DIMM (0x04) 324*c7fd27ccSKyle Moffett #define DDR3_SPD_MODULETYPE_MINI_RDIMM (0x05) 325*c7fd27ccSKyle Moffett #define DDR3_SPD_MODULETYPE_MINI_UDIMM (0x06) 326c360ceacSDave Liu 3270f2cbe3fSJames Yang #endif /* _DDR_SPD_H_ */ 328