1*0f2cbe3fSJames Yang /* 2*0f2cbe3fSJames Yang * Copyright 2008 Freescale Semiconductor, Inc. 3*0f2cbe3fSJames Yang * 4*0f2cbe3fSJames Yang * This program is free software; you can redistribute it and/or 5*0f2cbe3fSJames Yang * modify it under the terms of the GNU General Public License 6*0f2cbe3fSJames Yang * Version 2 as published by the Free Software Foundation. 7*0f2cbe3fSJames Yang */ 8*0f2cbe3fSJames Yang 9*0f2cbe3fSJames Yang #ifndef _DDR_SPD_H_ 10*0f2cbe3fSJames Yang #define _DDR_SPD_H_ 11*0f2cbe3fSJames Yang 12*0f2cbe3fSJames Yang /* 13*0f2cbe3fSJames Yang * Format from "JEDEC Standard No. 21-C, 14*0f2cbe3fSJames Yang * Appendix D: Rev 1.0: SPD's for DDR SDRAM 15*0f2cbe3fSJames Yang */ 16*0f2cbe3fSJames Yang typedef struct ddr1_spd_eeprom_s { 17*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char info_size; /* 0 # bytes written into serial memory */ 18*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char chip_size; /* 1 Total # bytes of SPD memory device */ 19*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char mem_type; /* 2 Fundamental memory type */ 20*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char nrow_addr; /* 3 # of Row Addresses on this assembly */ 21*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char ncol_addr; /* 4 # of Column Addrs on this assembly */ 22*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char nrows; /* 5 Number of DIMM Banks */ 23*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char dataw_lsb; /* 6 Data Width of this assembly */ 24*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char dataw_msb; /* 7 ... Data Width continuation */ 25*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char voltage; /* 8 Voltage intf std of this assembly */ 26*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char clk_cycle; /* 9 SDRAM Cycle time @ CL=X */ 27*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char clk_access; /* 10 SDRAM Access from Clk @ CL=X (tAC) */ 28*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char config; /* 11 DIMM Configuration type */ 29*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char refresh; /* 12 Refresh Rate/Type */ 30*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char primw; /* 13 Primary SDRAM Width */ 31*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char ecw; /* 14 Error Checking SDRAM width */ 32*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char min_delay; /* 15 for Back to Back Random Address */ 33*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char burstl; /* 16 Burst Lengths Supported */ 34*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char nbanks; /* 17 # of Banks on SDRAM Device */ 35*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char cas_lat; /* 18 CAS# Latencies Supported */ 36*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char cs_lat; /* 19 CS# Latency */ 37*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char write_lat; /* 20 Write Latency (aka Write Recovery) */ 38*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char mod_attr; /* 21 SDRAM Module Attributes */ 39*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char dev_attr; /* 22 SDRAM Device Attributes */ 40*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char clk_cycle2; /* 23 Min SDRAM Cycle time @ CL=X-0.5 */ 41*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char clk_access2; /* 24 SDRAM Access from 42*0f2cbe3fSJames Yang Clk @ CL=X-0.5 (tAC) */ 43*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char clk_cycle3; /* 25 Min SDRAM Cycle time @ CL=X-1 */ 44*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char clk_access3; /* 26 Max Access from Clk @ CL=X-1 (tAC) */ 45*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char trp; /* 27 Min Row Precharge Time (tRP)*/ 46*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char trrd; /* 28 Min Row Active to Row Active (tRRD) */ 47*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char trcd; /* 29 Min RAS to CAS Delay (tRCD) */ 48*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char tras; /* 30 Minimum RAS Pulse Width (tRAS) */ 49*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char bank_dens; /* 31 Density of each bank on module */ 50*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char ca_setup; /* 32 Addr + Cmd Setup Time Before Clk */ 51*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char ca_hold; /* 33 Addr + Cmd Hold Time After Clk */ 52*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char data_setup; /* 34 Data Input Setup Time Before Strobe */ 53*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char data_hold; /* 35 Data Input Hold Time After Strobe */ 54*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char res_36_40[5];/* 36-40 reserved for VCSDRAM */ 55*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char trc; /* 41 Min Active to Auto refresh time tRC */ 56*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char trfc; /* 42 Min Auto to Active period tRFC */ 57*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char tckmax; /* 43 Max device cycle time tCKmax */ 58*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char tdqsq; /* 44 Max DQS to DQ skew (tDQSQ max) */ 59*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char tqhs; /* 45 Max Read DataHold skew (tQHS) */ 60*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char res_46; /* 46 Reserved */ 61*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char dimm_height; /* 47 DDR SDRAM DIMM Height */ 62*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char res_48_61[14]; /* 48-61 Reserved */ 63*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char spd_rev; /* 62 SPD Data Revision Code */ 64*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char cksum; /* 63 Checksum for bytes 0-62 */ 65*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char mid[8]; /* 64-71 Mfr's JEDEC ID code per JEP-106 */ 66*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char mloc; /* 72 Manufacturing Location */ 67*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char mpart[18]; /* 73 Manufacturer's Part Number */ 68*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char rev[2]; /* 91 Revision Code */ 69*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char mdate[2]; /* 93 Manufacturing Date */ 70*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char sernum[4]; /* 95 Assembly Serial Number */ 71*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char mspec[27]; /* 99-127 Manufacturer Specific Data */ 72*0f2cbe3fSJames Yang 73*0f2cbe3fSJames Yang } ddr1_spd_eeprom_t; 74*0f2cbe3fSJames Yang 75*0f2cbe3fSJames Yang /* 76*0f2cbe3fSJames Yang * Format from "JEDEC Appendix X: Serial Presence Detects for DDR2 SDRAM", 77*0f2cbe3fSJames Yang * SPD Revision 1.2 78*0f2cbe3fSJames Yang */ 79*0f2cbe3fSJames Yang typedef struct ddr2_spd_eeprom_s { 80*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char info_size; /* 0 # bytes written into serial memory */ 81*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char chip_size; /* 1 Total # bytes of SPD memory device */ 82*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char mem_type; /* 2 Fundamental memory type */ 83*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char nrow_addr; /* 3 # of Row Addresses on this assembly */ 84*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char ncol_addr; /* 4 # of Column Addrs on this assembly */ 85*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char mod_ranks; /* 5 Number of DIMM Ranks */ 86*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char dataw; /* 6 Module Data Width */ 87*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char res_7; /* 7 Reserved */ 88*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char voltage; /* 8 Voltage intf std of this assembly */ 89*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char clk_cycle; /* 9 SDRAM Cycle time @ CL=X */ 90*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char clk_access; /* 10 SDRAM Access from Clk @ CL=X (tAC) */ 91*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char config; /* 11 DIMM Configuration type */ 92*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char refresh; /* 12 Refresh Rate/Type */ 93*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char primw; /* 13 Primary SDRAM Width */ 94*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char ecw; /* 14 Error Checking SDRAM width */ 95*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char res_15; /* 15 Reserved */ 96*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char burstl; /* 16 Burst Lengths Supported */ 97*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char nbanks; /* 17 # of Banks on Each SDRAM Device */ 98*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char cas_lat; /* 18 CAS# Latencies Supported */ 99*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char mech_char; /* 19 DIMM Mechanical Characteristics */ 100*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char dimm_type; /* 20 DIMM type information */ 101*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char mod_attr; /* 21 SDRAM Module Attributes */ 102*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char dev_attr; /* 22 SDRAM Device Attributes */ 103*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char clk_cycle2; /* 23 Min SDRAM Cycle time @ CL=X-1 */ 104*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char clk_access2; /* 24 SDRAM Access from Clk @ CL=X-1 (tAC) */ 105*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char clk_cycle3; /* 25 Min SDRAM Cycle time @ CL=X-2 */ 106*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char clk_access3; /* 26 Max Access from Clk @ CL=X-2 (tAC) */ 107*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char trp; /* 27 Min Row Precharge Time (tRP)*/ 108*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char trrd; /* 28 Min Row Active to Row Active (tRRD) */ 109*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char trcd; /* 29 Min RAS to CAS Delay (tRCD) */ 110*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char tras; /* 30 Minimum RAS Pulse Width (tRAS) */ 111*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char rank_dens; /* 31 Density of each rank on module */ 112*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char ca_setup; /* 32 Addr+Cmd Setup Time Before Clk (tIS) */ 113*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char ca_hold; /* 33 Addr+Cmd Hold Time After Clk (tIH) */ 114*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char data_setup; /* 34 Data Input Setup Time 115*0f2cbe3fSJames Yang Before Strobe (tDS) */ 116*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char data_hold; /* 35 Data Input Hold Time 117*0f2cbe3fSJames Yang After Strobe (tDH) */ 118*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char twr; /* 36 Write Recovery time tWR */ 119*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char twtr; /* 37 Int write to read delay tWTR */ 120*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char trtp; /* 38 Int read to precharge delay tRTP */ 121*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char mem_probe; /* 39 Mem analysis probe characteristics */ 122*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char trctrfc_ext; /* 40 Extensions to trc and trfc */ 123*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char trc; /* 41 Min Active to Auto refresh time tRC */ 124*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char trfc; /* 42 Min Auto to Active period tRFC */ 125*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char tckmax; /* 43 Max device cycle time tCKmax */ 126*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char tdqsq; /* 44 Max DQS to DQ skew (tDQSQ max) */ 127*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char tqhs; /* 45 Max Read DataHold skew (tQHS) */ 128*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char pll_relock; /* 46 PLL Relock time */ 129*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char Tcasemax; /* 47 Tcasemax */ 130*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char psiTAdram; /* 48 Thermal Resistance of DRAM Package from 131*0f2cbe3fSJames Yang Top (Case) to Ambient (Psi T-A DRAM) */ 132*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char dt0_mode; /* 49 DRAM Case Temperature Rise from Ambient 133*0f2cbe3fSJames Yang due to Activate-Precharge/Mode Bits 134*0f2cbe3fSJames Yang (DT0/Mode Bits) */ 135*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char dt2n_dt2q; /* 50 DRAM Case Temperature Rise from Ambient 136*0f2cbe3fSJames Yang due to Precharge/Quiet Standby 137*0f2cbe3fSJames Yang (DT2N/DT2Q) */ 138*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char dt2p; /* 51 DRAM Case Temperature Rise from Ambient 139*0f2cbe3fSJames Yang due to Precharge Power-Down (DT2P) */ 140*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char dt3n; /* 52 DRAM Case Temperature Rise from Ambient 141*0f2cbe3fSJames Yang due to Active Standby (DT3N) */ 142*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char dt3pfast; /* 53 DRAM Case Temperature Rise from Ambient 143*0f2cbe3fSJames Yang due to Active Power-Down with 144*0f2cbe3fSJames Yang Fast PDN Exit (DT3Pfast) */ 145*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char dt3pslow; /* 54 DRAM Case Temperature Rise from Ambient 146*0f2cbe3fSJames Yang due to Active Power-Down with Slow 147*0f2cbe3fSJames Yang PDN Exit (DT3Pslow) */ 148*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char dt4r_dt4r4w; /* 55 DRAM Case Temperature Rise from Ambient 149*0f2cbe3fSJames Yang due to Page Open Burst Read/DT4R4W 150*0f2cbe3fSJames Yang Mode Bit (DT4R/DT4R4W Mode Bit) */ 151*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char dt5b; /* 56 DRAM Case Temperature Rise from Ambient 152*0f2cbe3fSJames Yang due to Burst Refresh (DT5B) */ 153*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char dt7; /* 57 DRAM Case Temperature Rise from Ambient 154*0f2cbe3fSJames Yang due to Bank Interleave Reads with 155*0f2cbe3fSJames Yang Auto-Precharge (DT7) */ 156*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char psiTApll; /* 58 Thermal Resistance of PLL Package form 157*0f2cbe3fSJames Yang Top (Case) to Ambient (Psi T-A PLL) */ 158*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char psiTAreg; /* 59 Thermal Reisitance of Register Package 159*0f2cbe3fSJames Yang from Top (Case) to Ambient 160*0f2cbe3fSJames Yang (Psi T-A Register) */ 161*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char dtpllactive; /* 60 PLL Case Temperature Rise from Ambient 162*0f2cbe3fSJames Yang due to PLL Active (DT PLL Active) */ 163*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char dtregact; /* 61 Register Case Temperature Rise from 164*0f2cbe3fSJames Yang Ambient due to Register Active/Mode Bit 165*0f2cbe3fSJames Yang (DT Register Active/Mode Bit) */ 166*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char spd_rev; /* 62 SPD Data Revision Code */ 167*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char cksum; /* 63 Checksum for bytes 0-62 */ 168*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char mid[8]; /* 64 Mfr's JEDEC ID code per JEP-106 */ 169*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char mloc; /* 72 Manufacturing Location */ 170*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char mpart[18]; /* 73 Manufacturer's Part Number */ 171*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char rev[2]; /* 91 Revision Code */ 172*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char mdate[2]; /* 93 Manufacturing Date */ 173*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char sernum[4]; /* 95 Assembly Serial Number */ 174*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char mspec[27]; /* 99-127 Manufacturer Specific Data */ 175*0f2cbe3fSJames Yang 176*0f2cbe3fSJames Yang } ddr2_spd_eeprom_t; 177*0f2cbe3fSJames Yang 178*0f2cbe3fSJames Yang typedef struct ddr3_spd_eeprom_s { 179*0f2cbe3fSJames Yang /* General Section: Bytes 0-59 */ 180*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char info_size_crc; /* 0 # bytes written into serial memory, 181*0f2cbe3fSJames Yang CRC coverage */ 182*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char spd_rev; /* 1 Total # bytes of SPD mem device */ 183*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char mem_type; /* 2 Key Byte / Fundamental mem type */ 184*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char module_type; /* 3 Key Byte / Module Type */ 185*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char density_banks; /* 4 SDRAM Density and Banks */ 186*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char addressing; /* 5 SDRAM Addressing */ 187*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char res_6; /* 6 Reserved */ 188*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char organization; /* 7 Module Organization */ 189*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char bus_width; /* 8 Module Memory Bus Width */ 190*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char ftb_div; /* 9 Fine Timebase (FTB) 191*0f2cbe3fSJames Yang Dividend / Divisor */ 192*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char mtb_dividend; /* 10 Medium Timebase (MTB) Dividend */ 193*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char mtb_divisor; /* 11 Medium Timebase (MTB) Divisor */ 194*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char tCK_min; /* 12 SDRAM Minimum Cycle Time */ 195*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char res_13; /* 13 Reserved */ 196*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char caslat_lsb; /* 14 CAS Latencies Supported, 197*0f2cbe3fSJames Yang Least Significant Byte */ 198*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char caslat_msb; /* 15 CAS Latencies Supported, 199*0f2cbe3fSJames Yang Most Significant Byte */ 200*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char tAA_min; /* 16 Min CAS Latency Time */ 201*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char tWR_min; /* 17 Min Write REcovery Time */ 202*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char tRCD_min; /* 18 Min RAS# to CAS# Delay Time */ 203*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char tRRD_min; /* 19 Min Row Active to 204*0f2cbe3fSJames Yang Row Active Delay Time */ 205*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char tRP_min; /* 20 Min Row Precharge Delay Time */ 206*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char tRAS_tRC_ext; /* 21 Upper Nibbles for tRAS and tRC */ 207*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char tRAS_min_lsb; /* 22 Min Active to Precharge 208*0f2cbe3fSJames Yang Delay Time */ 209*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char tRC_min_lsb; /* 23 Min Active to Active/Refresh 210*0f2cbe3fSJames Yang Delay Time, LSB */ 211*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char tRFC_min_lsb; /* 24 Min Refresh Recovery Delay Time */ 212*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char tRFC_min_msb; /* 25 Min Refresh Recovery Delay Time */ 213*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char tWTR_min; /* 26 Min Internal Write to 214*0f2cbe3fSJames Yang Read Command Delay Time */ 215*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char tRTP_min; /* 27 Min Internal Read to Precharge 216*0f2cbe3fSJames Yang Command Delay Time */ 217*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char tFAW_msb; /* 28 Upper Nibble for tFAW */ 218*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char tFAW_min; /* 29 Min Four Activate Window 219*0f2cbe3fSJames Yang Delay Time*/ 220*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char opt_features; /* 30 SDRAM Optional Features */ 221*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char therm_ref_opt; /* 31 SDRAM Thermal and Refresh Opts */ 222*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char res_32_59[28]; /* 32-59 Reserved, General Section */ 223*0f2cbe3fSJames Yang 224*0f2cbe3fSJames Yang /* Module-Specific Section: Bytes 60-116 */ 225*0f2cbe3fSJames Yang union { 226*0f2cbe3fSJames Yang struct { 227*0f2cbe3fSJames Yang /* 60 (Unbuffered) Module Nominal Height */ 228*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char mod_height; 229*0f2cbe3fSJames Yang /* 61 (Unbuffered) Module Maximum Thickness */ 230*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char mod_thickness; 231*0f2cbe3fSJames Yang /* 62 (Unbuffered) Reference Raw Card Used */ 232*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char ref_raw_card; 233*0f2cbe3fSJames Yang /* 63 (Unbuffered) Address Mapping from 234*0f2cbe3fSJames Yang Edge Connector to DRAM */ 235*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char addr_mapping; 236*0f2cbe3fSJames Yang /* 64-116 (Unbuffered) Reserved */ 237*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char res_64_116[53]; 238*0f2cbe3fSJames Yang } unbuffered; 239*0f2cbe3fSJames Yang struct { 240*0f2cbe3fSJames Yang /* 60 (Registered) Module Nominal Height */ 241*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char mod_height; 242*0f2cbe3fSJames Yang /* 61 (Registered) Module Maximum Thickness */ 243*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char mod_thickness; 244*0f2cbe3fSJames Yang /* 62 (Registered) Reference Raw Card Used */ 245*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char ref_raw_card; 246*0f2cbe3fSJames Yang } registered; 247*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char uc[57]; /* 60-116 Module-Specific Section */ 248*0f2cbe3fSJames Yang } mod_section; 249*0f2cbe3fSJames Yang 250*0f2cbe3fSJames Yang /* Unique Module ID: Bytes 117-125 */ 251*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char mmid_lsb; /* 117 Module MfgID Code LSB - JEP-106 */ 252*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char mmid_msb; /* 118 Module MfgID Code MSB - JEP-106 */ 253*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char mloc; /* 119 Mfg Location */ 254*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char mdate[2]; /* 120-121 Mfg Date */ 255*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char sernum[4]; /* 122-125 Module Serial Number */ 256*0f2cbe3fSJames Yang 257*0f2cbe3fSJames Yang /* CRC: Bytes 126-127 */ 258*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char crc[2]; /* 126-127 SPD CRC */ 259*0f2cbe3fSJames Yang 260*0f2cbe3fSJames Yang /* Other Manufacturer Fields and User Space: Bytes 128-255 */ 261*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char mpart[18]; /* 128-145 Mfg's Module Part Number */ 262*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char mrev[2]; /* 146-147 Module Revision Code */ 263*0f2cbe3fSJames Yang 264*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char dmid_lsb; /* 148 DRAM MfgID Code LSB - JEP-106 */ 265*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char dmid_msb; /* 149 DRAM MfgID Code MSB - JEP-106 */ 266*0f2cbe3fSJames Yang 267*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char msd[26]; /* 150-175 Mfg's Specific Data */ 268*0f2cbe3fSJames Yang unsigned char cust[80]; /* 176-255 Open for Customer Use */ 269*0f2cbe3fSJames Yang 270*0f2cbe3fSJames Yang } ddr3_spd_eeprom_t; 271*0f2cbe3fSJames Yang 272*0f2cbe3fSJames Yang extern unsigned int ddr1_spd_check(const ddr1_spd_eeprom_t *spd); 273*0f2cbe3fSJames Yang extern void ddr1_spd_dump(const ddr1_spd_eeprom_t *spd); 274*0f2cbe3fSJames Yang extern unsigned int ddr2_spd_check(const ddr2_spd_eeprom_t *spd); 275*0f2cbe3fSJames Yang extern void ddr2_spd_dump(const ddr2_spd_eeprom_t *spd); 276*0f2cbe3fSJames Yang 277*0f2cbe3fSJames Yang /* 278*0f2cbe3fSJames Yang * Byte 2 Fundamental Memory Types. 279*0f2cbe3fSJames Yang */ 280*0f2cbe3fSJames Yang #define SPD_MEMTYPE_FPM (0x01) 281*0f2cbe3fSJames Yang #define SPD_MEMTYPE_EDO (0x02) 282*0f2cbe3fSJames Yang #define SPD_MEMTYPE_PIPE_NIBBLE (0x03) 283*0f2cbe3fSJames Yang #define SPD_MEMTYPE_SDRAM (0x04) 284*0f2cbe3fSJames Yang #define SPD_MEMTYPE_ROM (0x05) 285*0f2cbe3fSJames Yang #define SPD_MEMTYPE_SGRAM (0x06) 286*0f2cbe3fSJames Yang #define SPD_MEMTYPE_DDR (0x07) 287*0f2cbe3fSJames Yang #define SPD_MEMTYPE_DDR2 (0x08) 288*0f2cbe3fSJames Yang #define SPD_MEMTYPE_DDR2_FBDIMM (0x09) 289*0f2cbe3fSJames Yang #define SPD_MEMTYPE_DDR2_FBDIMM_PROBE (0x0A) 290*0f2cbe3fSJames Yang #define SPD_MEMTYPE_DDR3 (0x0B) 291*0f2cbe3fSJames Yang 292*0f2cbe3fSJames Yang #endif /* _DDR_SPD_H_ */ 293